ddr2800，amd+2200g支持DDR3吗

1，amd+2200g支持DDR3吗

不支持。

能安装这个CPU动主板都是DDR4的，而且不装独立显卡的用两根内存组双通道对集成显卡提升很多。

2，8G内存条是不是什么主板都可以按?怎么分是ddr3还是ddr2 我这主板...

肯定不能乱按，需要主板支持的。

你的这个主板支持DDR3 1600（超频）1333/1066内存，最大8GB。

意思是我这个主板可以直接上ddr3的8g内存吗？

可以，但是频率被限定在1600以下，就算你用了高频率的内存，那也自动降低来使用。

3，DDR2800的内存够用吗?

暂时没这个必要，因为比较贵，而且DDR2 800 现在是主流，很少有主板支持DDR3（这个会是以后的主流） 玩游戏上网做设计，显卡比较重要。内存用DDR2 800 1G或2G 组成双通道就好了。组成双通道后玩游戏上网做设计会很流畅。 所以，现在没必要为DDR3买单，用DDR2就够了。

DDR2其实已经够用了，不过你要是是有追求的人，可以考虑

有

够用,DDR3就是传输更快.

如果CPU不支持就没必要了

够用了！ DDR2 800 2G的。。非常合适！

4，DDR2533和DDR2800的内存

容量优先，也就是保留容量最大的两根即可。

如果你的主板支持800频率的话就把533的扯了以后在加跟800的就可以了，如果不支持就都插上用吧。

最好还是留一个DDR2800就行了。另一个不要插了。

就用单条800的内存，比两条快。

单从内存延时上讲，一条DDR2工作在800频率最好，速度最快

但是如果玩一下大型游戏，内存占用超过500M，加上系统占用的过了1G的话，还是建议用1G+512m的组合，在占有率高的情况下，内存大还是王道

建议你用一条1G的内存

新旧内存混合容易蓝屏

5，电脑现在的内存ddr2800,请问有必要换3代吗？玩游戏能提升多少？

单是旧机升级，完全没有必要。（如果主板+CPU支持DDR3,换4G ddr3还是值得） 你可能有误区，以为DDR3就一定快于DDR2，实测性能基本相同，DDR3频率高但延时高，优点是价格便宜，比如4g才百元，还买不到2G的DDR2 其次需要主板和CPU支持，如果主板只支持DDR2内存，换主板更不划算， CPU，英特的还好点，主板支持，CPU就可以配合用DDR3,amd的CPU需要am3以上接口的才能支持DDR3(早期的5000+这样的CPU不支持DDR3) -- 所以没有必要，如果你玩游戏需要升级，建议你看下CPU和显卡，升级效果更明显，比如集成显卡的升级个二手100元的9500GT，一般游戏改善就很多，看下显卡排行榜，买更高性能的显卡（新旧无所谓，只要游戏支持，通常旧显卡功耗大点不支持最新的DirectX 11），电源更换满足新显卡功耗要求的，就行了。 常见的显卡，新显卡300元以内的不如就买个100-150元的旧显卡， 二手9500GT=4650 100元=新6450/430/620 二手9600gt=3850 140元=新 6570/440/630 360元 二手9800GT=4830 200元 二手gts250=4850 240元 =新6750/640 490元

你好！ 你要看你的主板是否支持3代内存条了 一般来说DDR2的主板是不会有3代插槽的 但是有很少一部分主板2 3代全部兼容 所以你要弄清楚你的主板型号 是否支持3代内存条 还有DDR2升级到DDR3 使用上几乎不会有变化的 游戏提升主要还是显卡 其次CPU 仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

换不了！就不是一个东西！

6，DDR2667和DDR2800内存有什么区别

是频率不同,667的是频率是667HZ,而800的是频率为800HZ的内存条.一般来说频率越高,越好,但价格也越高,现在667HZ频率的内存条是最为普遍的.800的也开始普及,但相对来说价格也是高出好几百块.以512MB的为例,667HZ的现在一般在200块左右,而800HZ的都在600块左右.

DDR2667和DDR2800代表了内存的两种不同运行频率，前者低后者高，频率越高运行就越快；两种内存的形状完全一样，与质量没有关系；但一般来讲，800的内存颗粒应该要比667的好，也有例外，就是少数厂商会将只适合生产667内存的颗粒超频到800的频率来生产DDR2 800内村，从而获得更高的卖价；

质量与品牌有关。 667与800简单说就是读取速度不同，越大越好，价格也会贵点。

前端总线是一个很重要的数据传输！ 首先北桥芯片收集 显示卡的总线， 内存的总线！然后由北桥芯片提交给cpu！提交给cpu的这段数据大小就是所说的fsb（前端总线）！ 首先前端总线与cpu的关系是紧密相连的！例如说：过去时代的133前端总线如果是使用的是100内存那么与133差了33！那么这33是一个不必要的性能损失！即！在北桥芯片提交给cpu时速度也就是一个损失！ 首先了解一下 内存的频率的发展情况 ddr是双触发模式 由过去的时代 133 双触发模式成为266，是一个重大的飞跃！ 然后到 266 333 400 ddr2又在ddr的基础上双触发模式 由原来的ddr 266 到现在的 533。 然后到 266*2=533 333*2=667 400*=800 由于ddr3已经出来但是价格比较贵所以在市场上比较少！ 所以现在一般使用主板带的双通道功能！ 可以插两根 533 这里就不是双触发模式 而是主板的双通道功能！ 533*2=1066 等等等 现在一般的电脑结合现在的软件一般广泛使用1g内存。就充分对一般商业，即游戏需求！ 不过象过去使用的128mb来运行现在的软件显然很吃力！在运行文件的时候大量抽取内存导致内 存不够用速度很慢，现在一般内存都足够！如果以后象软件做的更大，所需要的内存也就更大应 该及时补充！现在应该建议在1g！不过内存再往上加的时候（指以后）不及时更换cpu和主板的 速度！能把内存充分的用运起来还是个问题！ 要根据需要选择，至于价格广州那边生产商比较多，所以价格相对来说比较便宜！如果被运输到 外地水分和运费都很大！ 建议taobao.com里面有很多不错的选择，祝你能买到一款性能不错的内存。

7，DDR2667内存和DDR2800内存有什么区别？

前端总线是一个很重要的数据传输！ 首先北桥芯片收集 显示卡的总线， 内存的总线！然后由北桥芯片提交给CPU！提交给CPU的这段数据大小就是所说的FSB（前端总线）！ 首先前端总线与CPU的关系是紧密相连的！例如说：过去时代的133前端总线如果是使用的是100内存那么与133差了33！那么这33是一个不必要的性能损失！即！在北桥芯片提交给CPU时速度也就是一个损失！ 首先了解一下 内存的频率的发展情况 DDR是双触发模式 由过去的时代 133 双触发模式成为266，是一个重大的飞跃！ 然后到 266 333 400 DDR2又在DDR的基础上双触发模式 由原来的DDR 266 到现在的 533。 然后到 266*2=533 333*2=667 400*=800 由于DDR3已经出来但是价格比较贵所以在市场上比较少！ 所以现在一般使用主板带的双通道功能！ 可以插两根 533 这里就不是双触发模式 而是主板的双通道功能！ 533*2=1066 等等等 现在一般的电脑结合现在的软件一般广泛使用1G内存。就充分对一般商业，即游戏需求！ 不过象过去使用的128MB来运行现在的软件显然很吃力！在运行文件的时候大量抽取内存导致内 存不够用速度很慢，现在一般内存都足够！如果以后象软件做的更大，所需要的内存也就更大应 该及时补充！现在应该建议在1G！不过内存再往上加的时候（指以后）不及时更换CPU和主板的 速度！能把内存充分的用运起来还是个问题！ 要根据需要选择，至于价格广州那边生产商比较多，所以价格相对来说比较便宜！如果被运输到 外地水分和运费都很大！ 建议taobao.com里面有很多不错的选择，祝你能买到一款性能不错的内存。

DDR2 667和800的区别2008-02-29 23:27DDR2 667和800 是指内存的有效工作频率。频率不同，内存的带宽肯定不一样的！ 所谓的内存带宽是指内存与南桥芯片之间的数据传输率，单位一般为“MB/s”或“GB/s”。 其计算公式为内存带宽=内存总线频率×数据总线位数/8。 数据总线位数一般都是64位。 那么，667的内存带宽为667*64/8=5336MB/S，差不多是5.3GB每秒吧。 而800的内存宽带为800*64/8=6400MB/S，也就是6.4GB每秒 800的内存带宽比677的更大，计算机的整体性能肯定更好！

就是工作频率的差别，频率越高性能越好 不过实际使用相差不大除非是超频用户

只要是ddr2 就可以插上

电脑可以一个667和一个800共用

频率不一样,667和800都是频率...

8，谁给我解释一下金士顿DDR2800的详细见解说一下!

电压 CL 是看你 做内存的厂商设置了。 上面的都是常规。

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DDR2是内存双通道800是前端总线

9，内存DDR2800是什么意思。现在最好的是什么型号

DDR=Double Data Rate双倍速内存 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。 DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 采用双通道运行，速度是DDR的2倍。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。 针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下： (1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。 (2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。 (3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。 (4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。 目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。 设计 一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计： DDR3 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 1.突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 2.寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 5.参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。 6.点对点连接（Point-to-Point，P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。 发展 早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从目前的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。 半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。 由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有： 更高的外部数据传输率 更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括： 8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。 采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 DDR3内存的技术改进 逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 看完这些你再不明白，我就没办法了！

DDR2 800 2表示第2代。。800表示是800MHZ频率。 DDR2800已经很好了。。。我的还是667的 低的有226 400什么的 希望能帮到你

DDR2 800 DDR2决定了内存的型号目前有DDR系列的有DDR， DDR2， DDR3 最好的当然是DDR3，目前国内应该还没有DDR3的板子 800是频率，频率越大越快，挑选时注意你的主板是否支持。DDR3的最大频率好像到了1333了，这个记不太清楚了，你可以自己查一下

DDR2 800是内存的频率 越高速度越快 现在最好的应该是 DDR3 2000

型号与频率 金士顿 三星 海盗船 都不错

好像是他的频率