VGS设计在-2.5V左右，对冲击电流的抑制作用不大，这个电路的设计原则是什么？
回复：VGS=-1.6V时，可以保证MOSFET导通，注意要考虑电阻阻值的分散性，在最差的条件下，如果使用电阻的精度为10％，VGS电压绝对值：1.3 1.6*20%=1.64V，MOSFET仍然可以工作。如果电阻的精度为15％，考虑到MOSFET的VGS(th)电压的分散性，在一定的条件下如低温时，MOSFET就有可能不工作，而且VGS(th)电压是负温度系数，温度越低，其值越大。
驱动电压的稳定值要结合输入电压最低值和分压电阻值的精度、VGS(th)以及其温度系数等最极端的条件，来选择合适的分阻电阻的分压比，保证系统的设计要求。PCB布板设计时，S和D都用大的铜皮连接。如果是多层板，在每层都放上相应大小的的铜皮，用多个10-15mil的过孔连接散热。（2）AO3401的VGS(th)规格书中标的可以到-1.3V，设置VGS=-1.6V，电压绝对值大于-1.3V，是否该MOSFET正常导通，应该没有问题吧？现在损耗并不是考虑的问题，0.03V的RDS(on)的压降对系统没有任何影响。
原来使用一个0.1欧姆的氧化膜电阻来做隔离的，但是该电阻体积太大，用这个电路的目的就是想替换这个电阻。这个电路中MOSFET是在电视机开机后一直导通的，MOSFET一直导通的状态下来插入移动硬盘的，而不是插入移动硬盘后再打开MOSFET的，所以觉得调节R45/R46/C18的值不能起到降低冲击电流的作用。
希望利用MOSFET的恒流区特性来降低冲击电流，如果把VGS调整到-2.5V以上，对冲击电流的限制作用就非常小了，只能从9A降到8A左右，这样的做法对MOSFET来说会有问题吗？ 回复：上面的电路是利于MOSFET在开通过程中，较长时间工作在线性区（放大区，也就是恒流区），从而控制上电时瞬态大负载，如热插拨移动硬盘，因为硬盘带有较大的容性负载，切入瞬间形成较大的浪涌电流。
如果MOSFET已经导通，后面再插入移动硬盘这样的大容性负载，浪涌电流主要由输出端的大电容来提供，因此MOSFET无法限制浪涌电流。MOSFET工作在线性区时电阻远大于完全导通的电阻，因此也可以理解为用电阻抑止浪涌电流。通常这种负载开关电路设计时，分压电阻是为了防止VGS的最大电压超过额定的最高电压，串联在G极的电阻调节MOSFET的开通速度。
在保证要求的开通速度条件下，VGS不能超过最大额定电压时，可以适当提高电阻值，这样在正常的工作状态下，MOSFET完全导通后，减小产生的静态损耗。（3）在AO3401规格书的第1页有写operation with gate votages as low as 2.5V，是否是要求G极电压必须大于2.5V?VGS必须小于-2.5V？设计VGS=-1.6V有没有问题？如果继续加大VGS到-1V呢？是不是VGS的大小没有关系，只要保证RDS(on)产生的功耗不要导致MOSFET过热就行，是否正确？回复：不能那么认为，这句话的含义是：AO3401可以工作在VGS＝-2.5V，此时导通电阻约为120mOhm。
