这就是晶圆中“晶”字的含义；下面交待晶圆中“圆”字的含义、或者说不叫作晶“方”的原因。
为什么造芯片是光刻晶圆而不是晶“方”呢？
(1)目前制作半导体集成电路芯片、大规模半导体集成电路芯片、超大规模集成电路芯片，所使用的半导体衬底材料，大多是硅单晶（只有在工作频率特别高的场合下，才使用砷化镓单晶）。这就是晶圆中“晶”字的含义；下面交待晶圆中“圆”字的含义、或者说不叫作晶“方”的原因。(2)自然界中既不存在硅单晶，也不存在单质硅。
集成电路的原材料，要先从石英砂（二氧化硅）做起。①虽然地壳矿物质中，硅元素含量最丰，约28.15%，但几乎全部为二氧化硅和硅酸盐之类的化合物。而且世界上只有挪威和巴西的石英砂（二氧化硅）可以作为制作硅单晶的原始材料，其它地方出产的石英砂全不堪用（因为哪怕只有痕迹量的铁类杂质也是难以摒除的，因而不能采用）。
石英砂的照片见图1。②高纯度二氧化硅经过化学还原反应，生成金属级别的硅。再将其与氯化氢气体反应，生成甲硅烷和三氯硅烷等中间化合物；再与高纯氢气发生化学气相沉积反应，使超高纯度的单质硅析出在多晶硅仔晶棒上，形成多晶硅棒。这时硅的杂质浓度降低到了十亿分之一个原子以下，是世界上到目前为止纯度最高的人工物质。
接着将多晶硅棒粉碎成适当大小的颗粒，清洗干净，再根据需要制作的半导体单晶硅衬底的类型，有控制地掺入适当微量的杂质。如果要制成p型半导体衬底，就掺入微量的硼元素；要制成n型半导体，就掺入微量的磷元素或锑元素。掺入量的多少取决于要制作的单晶硅衬底的体电阻率。③然后，将这些掺杂后的多晶硅颗粒放入单晶硅生长设备的石英坩埚内的石墨坩埚中，去拉制单晶硅锭。
常见的两种单晶硅锭生长方法是提拉法和浮动区域熔融法，其中后一种方法属于早期采用的方法。图2显示的是单晶硅的拉制过程。图3是多晶硅变化为单晶硅过程中的硅原子排列模型。图4是拉制出的纺锤状单晶硅锭。图5是通过内圆刀切割纺锤状单晶硅锭的方法，形成“晶圆”的过程示意图（横向切割纺锤体状单晶硅，切割下来的单晶片无疑应当是晶“圆”片，而不可能是晶“方”片了）。
再接下来，将晶圆片倒角、机械研磨、化学研磨、退火、镜面研磨、清洗，转入后面的半导体集成电路芯片制作阶段。④在同一片晶圆片上，会制作出许许多多一个个完全相同的集成电路（或大规模、超大规模集成电路）芯片。在一整片晶圆片上制作芯片完成后，再将整片晶圆切割成一个个的集成电路芯片，见图6。最后，才将小小的集成电路芯片封装进集成电路外壳，见图7，就是我们常见到的集成电路了。
