东芝表示，已经计划从第五代BiCSFlash发展到第七代。东芝去年推出了使用这种软件的NVMe。东芝不确定这种方法是否完全可行。XL-Flash是东芝针对三星LowLatencyV-NAND和英特尔Optane的存储方案。
基于东芝XL-Flash闪存的PBlaze X26 SSD，具有哪些特点？
在今年的闪存峰会上，Memblaze 将展示业界首款基于东芝 XL-Flash 闪存的超低延迟 NVMe SSD 。这些驱动器可以确保一致的高性能和超低延迟，与英特尔傲腾Optane和三星 Z-NAND 技术争夺对性能要求极为苛刻的关键任务市场。据悉，Memblaze PBlaze X26 系列 SSD 采用了该公司的专属主控，而 XL-Flash 则是东芝在去年宣布的。
资料图 / 仅供参考，via AnandTech与 3D TLC NAND 相比，XL-Flash 宣称能够带来一定数量级的性能提升，减少 1/10 的操作等待时间。Memblaze 声称，PBlaze X26 系列 SSD 的原型，已能够实现低于 10s 的 4K 随机写入延迟以及平均低至 26s 的 4K 混合读写延迟。
最终，该公司希望实现低于 20s 的延迟。与英特尔傲腾OptaneSSD 相比，它不仅性能上更加出众，售价也更加便宜。Memblaze 产品高级副总裁 Taile Zhang 表示基于 Memblaze 的核心闪存技术，PBlaze5 X26 带来了 XL-FLASH 的超低延迟高 QoS 优势，有望为企业提供快速稳定的性能。
与 3D XPoint 和其它 SCM 介质相比，XL-FLASH 具有明显的价格优势，有助于提升 PBlaze5 X26 系列的市场接受度，在整个行业中得到广泛应用。Memblaze 尚未分享有关该驱动器的任何进一步细节，但从 PBlaze5 X26 800 这个型号的名称来看，该公司显然至少会推出一款 800GB 容量的版本。
东芝如何布局5-Bit-per-Cell Flash SSD？
近日召开的国际闪存技术峰会(Flash Memory Summit)上，东芝公布的内容干货满满。不仅凭借着最新推出的XFMExpress标准赢得了今年的Best of Show展会最佳大奖，还公布了诸多业内领先的前沿存储技术。东芝正在拥抱PCIe 4.0和诸多新的存储技术，包括全新的PCIe 4.0 NVMe固态硬盘，发布了XL-Flash Storage Class Memory (SCM)，提供native NVMe over fabrics (NVMe-oF)的以太网固态硬盘等等。
甚至在展会上，东芝还提及了即将到来的BiCS FLASH，包括五层单元PLCNAND开发。在东芝的主题演讲中，该公司发言人不仅探讨了公司的XL-Flash技术，而且还谈及了未来发展的一些有趣观点。东芝表示已经计划从第五代BiCS Flash朝着第七代发展。每代产品革新都契合PCIe标准。从BiCS 5开始，很快将与PCIe 4.0一起上市，但该公司尚未提供具体的时间表。
BiCS5将具有1,200MT / s的更高带宽，而BiCS6将达到1,600MT / s，而BiCS7将达到2,000MT / s。目前公司已经着手Penta-level五层单元PLCNAND闪存的研究工作，并通过优化当前QLC NAND来验证five-bit per cell NAND。新闪存提供更高的密度，每个单元可以存储5位，目前的QLC只能存储4位。
然而，要做到这一点，每个单元需要存储32个不同的电压电平，SSD主机需要能够准确地读取它们。如此多的电压等级和纳米尺度，新技术非常具有挑战性。为了控制更严格的阈值，公司必须开发一些额外的工艺，以适应当前的TLC和QLC，从而提高性能。与其他类型的闪存相比，QLC运行速度慢，耐用性低。而PLC的耐用性较低，性能较慢。
