相比之下，三星和TSMC基本相同，7nm为每平方毫米10123万片，勉强高于英特尔的10 nm。简而言之，现有的英特尔10纳米明显领先于英特尔自己的14纳米，与TSMC的7纳米基本相同。因此，英特尔14纳米肯定远远落后于TSMC的7纳米。无论是应用于手机芯片制造还是台式机CPU制造，无论芯片设计，都比不上TSMC的7nm。但还是那句话，技术是部分，量产才是关键。
麒麟710为什么不用台积电的7纳米技术反而用三星的10纳米技术？
根据目前已经披露的消息来看麒麟710应该是采用了台积电的12nm制程工艺，不是三星的10nm制程工艺。不知提问者从哪里看到的采用三星代工的消息，采用三星10nm制程工艺的是高通骁龙710处理器，虽然都叫710，但是一个属于华为麒麟处理器，一个属于高通骁龙处理器，不要混淆了。另外7nm制程工艺目前来说属于高端处理器才会使用的制程工艺，工艺比较复杂一些，代工价格也会较贵一些，暂时不会用在中低端处理器上，
手机CPU现在是7纳米工艺，为什么电脑CPU还是12纳米？
智能手机很少采用英特尔的代工的，而英特尔的10nm工艺晶体管的密度可以媲美台积电和三星的7nm工艺。台积电的7nm工艺只不过是在取名的时候用上了7nm，英特尔采用了不一样的计算方法，英特尔比较老实，说自己的是10nm工艺而已，英特尔这一次还是过于老实了所谓的几nm工艺，并没有一个统一明确的规范！更多的是靠芯片厂商都是各自使用着自己那一套计算方法，也就是说，你说自己的5nm都行（如果同行不锤你的话）。
只有找出一个跟5nm相关的参数就行了，但是，英特尔就过于老实了，它们采用了10nm工艺，Intel表示晶体管密度达到了100MTr/mm2；台积电的7nm工艺也只不过才达到101.23MTr/mm2，几乎是一样鹅。但是因为采用了不同的计算方式，所以英特尔的就说自己是10nm计算工艺，同时，对比台积电的7nm工艺，栅极尺寸（54x44nm，越小越好）、SRAM面积（0.0312μm2）都好一点。
那就是说，台积电在营销上赢得了优势而已！英特尔依然按照的是老旧的公式来计算，因此计算出是10nm，并不是电脑芯片不需要更先进的纳米制程人类追求的步伐是不会停下来的，人类一直在追求进步。有些事情停滞不前，更多是因为目前的技术水平到了目前人类的学术上限，还需要基础学科的突破，所以，并不会存在说，电脑芯片不需要更加现金的纳米制程。
芯片到7纳米，到底是光刻机的功劳还是代工厂台积电的功劳？
我回答的题目是：中芯国际：有了高端光刻机才能全面实现已有的高端制程工艺“芯片到7nm”？是指产品、成品，高端的，不是指制程工艺、光刻设备，而是指工艺、设备作用的结果，即该问问的是高端制程工艺和高端光刻设备跟高端芯片之间的关系、联系，我觉得严格地说应该是“良品率达到业界量产标准下的7nm芯片”。就像中芯国际的14nm芯片达到了业界量产标准之后，95%都是良品，均无瑕疵，
在整体良品率达到业界量产标准的前提下、基础上，才可讨论7nm芯片到底是光刻机的功劳还是代工厂的功劳。在良品率达到业界量产标准时功劳一样大，工艺和设备的功劳一半一半，也就是都不可或缺。代工厂如果自身的芯片制程工艺水平达到了7nm，若是没有7nm的极紫外光刻机，良品率也是达不到业界量产标准的，即使造出了7nm芯片，次品多或者性能低的产品多，制造成本高，市占率低，台积电过去用荷兰ASML的DUV光刻机造出的7nm芯片就是这样，只是表明代工厂比如台积电拥有了7nm制程工艺能力，而已，这个高端能力却不能全部转化、良好实现，就差在没有与之匹配的光刻机，
另一方面，芯片工艺的工艺水平还没有达到7nm，即使有7nm的光刻机，结果也是一样的。SMIC也将如此。虽然SMIC自认为已经具备7nm制程能力，但按照梁孟松2020年12月的说法，今年可以进入风险量产，但无法像自身14nm制程能力一样达到行业量产标准的合格率。SMIC的14nm制程能力之所以能够成功实施，能够制造出95%的良品，仅仅是因为ASML的14nm光刻机。
