由于手机的便携性，手机的闪存无法粘贴多个闪存颗粒，形成像SSD一样的闪存芯片阵列，提供多路高性能。手机的闪存虽然外观上只有一个颗粒，但实际上是一个完整的存储系统，里面封装了主控和闪存颗粒。但是对于手机，所有厂商都只使用闪存，媒体也只专注于讨论不同的闪存性能，比如华为的闪存门。
我们看手机参数时，主要在意的有屏幕处理器运行内存存储空间摄像头，其中的存储空间也就是上图的ROM指地便是手机内的闪存存储器。该存储器的容量有多大决定了我们能够在手机内放置多少数据量，这些数据量包括了各种在手机上运行的系统应用和存放在手机中的照片视频。手机存储空间部分截图，该图清楚地表明了各种文件占用的存储量。
手机的运行离不开闪存存储器，我们能在手机内下载多少应用存放多少照片和视频都是它决定的，而且因为闪存存储器有着不同的类型，类型不同读写速度不同——打开照片的速度安装视频的速度存放照片和视频的速度，这些要在存储器中拿走和放进去数据的行为受限于读写速度，所以使用读写速度更高的存储器时，我们操作手机的速度就自然越快。
闪存存储器有两种类型eMMC和UFS，前者目前的理论带宽可以达到600MB/s，后者可达到11.6bps，有着近20倍的差距。虽然实际使用时不可能做到这么高的带宽，而且两个类型还被制定了不同的标准，带宽也有差异，但是UFS比eMMC的传输速率高是毋庸置疑的。测试之前我们对同搭载骁龙820处理器的一加手机3和联想ZUK Z2做了测试，前者为UFS 2.0闪存，连续读写速度为422MB/s和145MB/s，随机读写为78MB/s和15MB/s后者为eMMC闪存，连续读写速度为217MB/s和45MB/s，随机读写前者为18MB/s和5MB/s。
闪存UFS3.1和闪存UFS3.0仅相差0.1，性能上有什么区别？
相较UFS3.0，UFS3.1主要加入了三个新特性写入增强器(Write Turbo)深度睡眠(Deep Sleep)和性能限制通知(Performance Throttling Notification)，同时还发布了可选的配套标准UFS Host Performance Booster主机性能增强器即UFS HPB。
Write Turbo这个很好理解，就是提高设备的写入速度。有了这个特性，UFS3.1的写入速度提升至700MB/s，而UFS3.0的顺序写入最高为500MB/s。Deep Sleep则旨在降低设备功耗，它可以让设备进入低功耗状态，确保手机在闲置时更加省电。性能限制通知则是在当设备过热的时候，通知系统限制读写性能为硬件降温。
HPB利用手机的RAM来缓存L2P Map表，以提升读性能，尤其是长时间使用后的随机读取能力。一句话，即HPB意在解决手机越用越卡的
简单来说就是手机闪存的温度控制。最后，HPB对于提高手机的阅读性能也非常重要。这里用realme副总裁王伟来解释一下HPB。原因之一是手机在使用中会越来越卡，这是文件系统碎片化和设备随机读取性能下降造成的。设备的缓存能力是有限的，L2P映射表的频繁过载导致过多的性能开销。
