纳米芯片就够了，为什么还要发展7纳米？纳米芯片就够了，为什么还要发展7纳米？现在TSMC和三星的5纳米芯片都是用EUV光刻机制造的。在EUV光刻机被开发出来之前，TSMC和三星也使用DUV光刻机生产14纳米芯片。为什么芯片公司要花更多的成本和精力去研发7 nm甚至5 nm的制程工艺？
智能手机很少采用英特尔的代工的，而英特尔的10nm工艺晶体管的密度可以媲美台积电和三星的7nm工艺。台积电的7nm工艺只不过是在取名的时候用上了7nm，英特尔采用了不一样的计算方法，英特尔比较老实，说自己的是10nm工艺而已。英特尔这一次还是过于老实了所谓的几nm工艺，并没有一个统一明确的规范！更多的是靠芯片厂商都是各自使用着自己那一套计算方法，也就是说，你说自己的5nm都行如果同行不锤你的话。
只有找出一个跟5nm相关的参数就行了。但是，英特尔就过于老实了，它们采用了10nm工艺，Intel表示晶体管密度达到了100MTr/mm2台积电的7nm工艺也只不过才达到101.23MTr/mm2，几乎是一样鹅。但是因为采用了不同的计算方式，所以英特尔的就说自己是10nm计算工艺。同时，对比台积电的7nm工艺，栅极尺寸54x44nm，越小越好SRAM面积0.0312m2都好一点。
那就是说，台积电在营销上赢得了优势而已！英特尔依然按照的是老旧的公式来计算，因此计算出是10nm。并不是电脑芯片不需要更先进的纳米制程人类追求的步伐是不会停下来的，人类一直在追求进步。有些事情停滞不前，更多是因为目前的技术水平到了目前人类的学术上限，还需要基础学科的突破。所以，并不会存在说，电脑芯片不需要更加现金的纳米制程。
芯片到7纳米，到底是光刻机的功劳还是代工厂台积电的功劳？
我回答的题目是中芯国际有了高端光刻机才能全面实现已有的高端制程工艺芯片到7nm？是指产品成品，高端的，不是指制程工艺光刻设备，而是指工艺设备作用的结果，即该问问的是高端制程工艺和高端光刻设备跟高端芯片之间的关系联系。我觉得严格地说应该是良品率达到业界量产标准下的7nm芯片。就像中芯国际的14nm芯片达到了业界量产标准之后，95%都是良品，均无瑕疵。
在整体良品率达到业界量产标准的前提下基础上，才可讨论7nm芯片到底是光刻机的功劳还是代工厂的功劳。在良品率达到业界量产标准时功劳一样大。工艺和设备的功劳一半一半，也就是都不可或缺。代工厂如果自身的芯片制程工艺水平达到了7nm，若是没有7nm的极紫外光刻机，良品率也是达不到业界量产标准的，即使造出了7nm芯片，次品多或者性能低的产品多，制造成本高，市占率低，台积电过去用荷兰ASML的DUV光刻机造出的7nm芯片就是这样，只是表明代工厂比如台积电拥有了7nm制程工艺能力，而已，这个高端能力却不能全部转化良好实现，就差在没有与之匹配的光刻机。
反过来，芯片制程工艺水平没有达到7nm，即使有了7nm光刻机，结果一样。中芯国际也会是这样，虽然认为自己已经拥有了7nm制程工艺能力，按梁孟松在2020年12月说今年可以进入风险量产，却一定不能像自家的14nm那样达到业界量产标准的良品率，而中芯国际的14nm制程工艺能力之所以能够圆满落地，制造出达95%的良品，只是因为拥有了利用了ASML的14nm光刻机。
当成品率达不到行业量产标准时，就必须依靠光刻机来做出贡献。后来TSMC买了ASML的EUV光刻机后，不仅生产效率上来了，良品率也提高了。大多数7纳米芯片被保证是完美的。显然，此时此刻，这一切都是由于极紫外光刻机，或ASML，一个掩模光刻机厂。高端光刻机是独一无二且不可或缺的。梁孟松还表示，53nm芯片工艺技术的研发只有在7nm光刻机到来后才能全面展开，这充分说明更先进技术的研发也必须依靠更先进的光刻机，更何况53nm芯片的实际制造。现有的DUV光刻机根本不能满足53纳米工艺技术研发的需求。但是，没有53nm光刻机，良品率无法达到行业量产标准，但是，一旦7nmEUV光刻机到来，SMIC的7nm工艺能力就可以充分发挥，整体良品率可以达到行业量产标准，就像TSMC后来做的那样。
