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为什么制程14 栅极间距是70,还是晶体管的尺寸是七纳米

来源:整理 时间:2022-06-08 10:50:55 编辑:科技知识 手机版

自己芯片工艺的研发速度更快,完全看谁能把钱和人堆起来。简而言之,现有的英特尔10纳米明显领先于英特尔自己的14纳米,与TSMC的7纳米基本相同。因此,英特尔14纳米肯定远远落后于TSMC的7纳米。无论是应用于手机芯片制造还是台式机CPU制造,无论芯片设计,都比不上TSMC的7nm。但还是那句话,技术是部分,量产才是关键。

芯片七纳米制程,是指晶体管之间的间距是七纳米,还是晶体管的尺寸是七纳米?

我来简单说说吧!1、纳米是尺寸还是间距:用最直白的话说,芯片制造工艺中的5nm、7nm其实指的就是晶体管尺寸。一般专业术语称之为晶体管栅极的宽度(下图红框就是栅极),也就是所谓的栅长。栅长的宽度越小,也就意味着晶体管的尺寸越小。2、晶体管小的好处:晶体管越小也就意味着在单个晶圆体上能塞入更多的晶体管,相同晶圆体面积的情况下,这样就可以以更小的功耗来容纳更复杂的电路系统,也就意味着了电路系统集成度更高,能实现更大的运行速率。

目前晶圆体尺寸最小能达到4寸,不过集成电路主流是使用8寸的晶圆体(见图)。3、晶体管尺寸不能无限缩小:当然,在我们这个世界很多技术都会遇上物理极限,晶体管尺寸也一样。按照现有的技术,当晶体管达到20nm时就会产生量子物理问题,比如漏电等。因此,随着尺寸的越来越小,要解决的技术问题也就越多,厂商的研发难度也就越高。

现在的7nm的制造工艺已经接近物理极限,而台积电现在已经准备研制5nm制造工艺,真要成功基本算是要突破物理极限了。4、光刻机和蚀刻机的作用:要想实现纳米级晶体管制造,最终都离不开这两种设备。前者的主要作用是在晶圆体上涂抹光刻胶并进行光腐蚀,并在其中包含编码等内容;而后者则是将光刻机复印在晶圆体上的电路进行蚀刻,最终形成栅级,也就是前面说的晶体管。

英特尔的最近cpu是14纳米,可台积电代工的手机cpu已经是7纳米了,为什么

作为芯片制造产业两个巨头,台积电和intel一直在竞争,几年前,我们第一次看到了英特尔10nm工艺延迟的消息,说实话,当时并没有预料到英特尔的延迟会有那么长。更甚至,我们不相信,台积电会提前intel发布和应用7nm工艺芯片,究其原因,其背后则是世界头号和二号强国美国和中国关于技术理念、优势的争夺。

抛开本身芯片制程来说,谁的制程工艺的研发速度更快,完全是看谁更能“堆钱”和“堆人”。也就是说工艺研发速度尤其是靠全球顶级的工程师们(顶级薪水)的“工时”堆出来的。,这几年摩尔定律慢下来,其实最最主要是Intel跟不上摩尔定律了,一个是intel自产自销,而高通,华为,arm、TSMC、Apple、nVIDIA的器件,依旧在摩尔定律的引擎下快速成长,需要专业的代工厂台积电来做,也需要台积电不断提升。

可以看数据。X86每年单核整数性能增速5%,苹果ARM每年单核整数性能增速25~40%。Intel晶圆厂每一代工艺耗费5年,TSMC代工厂每一代工艺耗费2.5年。当然,还有另外一个因素,是X86个人电脑这几年不景气。从2012年开始,PC市场持续萎缩,连续5年的平均每年萎缩率达到7%,intel手机处理器又没有多大销量,Intel作为自产自销要考虑成本和投入还要顾虑销售,也就是年年挤牙膏的根本原因。

前几年,Intel公司全球裁员1.2万人,来保证其晶圆厂在资金短缺的情况下,照这个速度继续萎缩下去的话,intel资金也是一个主要。反观台积电,在这几年手机和其它领域芯片需求较大,专注于芯片代工,在专注研发和生产,具有稳定的订单和代生产需求,这一方面还是很有优势的,这也就不难理解台积电优于intel发布更高级别芯片。

TSMC成立于1987年,总部位于中国台湾新竹,是全球第一家以OEM为主的集成电路制造企业,也是代工模式的开创者。目前,全球主要芯片厂商TSMC都有代工,市场份额超过50%。目前公司最先进的制程技术已经达到7纳米,公司也是全球首家提供7纳米代工服务的专业代工厂。英特尔是世界上最大的个人电脑部件和CPU制造商。它成立于1968年,拥有50年的产品创新和市场领导地位。在芯片制造领域,从1993年发布用于个人电脑的奔腾CPU开始,英特尔就一直占据着全球最大芯片厂商的宝座,直到2017年被三星排名第一(三星是排名第一的芯片厂商,但众所周知,这个排名是一个综合排名,显然要感谢它的内存。

文章TAG:为什么制程14 栅极间距是70制程栅极纳米晶体管间距

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