三、晶圆加工对于晶圆的加工，全世界能做的厂家以及公司屈指可数，其中为我们很多人所知的莫过于台湾的台积电，作为全球纯晶圆代工行业的领头羊，目前也在不遗余力往3nm制程发展，甚至1nm，1nm是否已经是到底物理极限，漏电问题是否能够很好的解决，这很多的考验问题。
生产芯片的公司有哪些？
高通、联发科、海思半导体、苹果能造芯片吗？也许很多人会第一时间回答，当然能造芯片啦，它们都是芯片公司啊！其实不然，它们是芯片公司，但是它们大都不能造芯片！芯片公司主要分为两大类：芯片设计公司和芯片制造公司！……芯片设计公司华为每年投入一千多亿研发费用，2020年预计超过200亿美元；难道华为旗下的海思半导体还造不了芯片吗？高通、联发科不是一直在卖芯片给小米、OPPO、vivo吗？苹果公司不是一直在使用自家的苹果A系列芯片吗？是的，它们都有芯片！不过，它们都是芯片设计公司，都是委托芯片制造公司来代工生产芯片的！就好像华为海思半导体，绝大部分中高端芯片是由台积电代工的！苹果、高通、联发科，也大都是找的台积电、三星代工手机芯片！苹果公司是台积电的第一大客户，华为是台积电的第二大客户！芯片设计公司与芯片制造公司，就好像设计师与施工队的关系？“您给我图纸，我给你造房子！”芯片设计公司提高芯片设计方案，芯片制造公司负责把芯片生产出来！……芯片制造公司（或芯片代工公司）咱们大陆的中芯国际是芯片制造公司，咱们台湾省的台积电是全球第一的芯片制造公司；台积电是全球第一家芯片代工企业，与英特尔、三星的经营模式，差别很大！英特尔、三星既是芯片设计公司，又是芯片制造公司，是全能型的芯片玩家；格芯（格罗方德）、联电、高塔半导体、华虹半导体、世界先进、力晶、东部高科等，大都是芯片制造公司！台积电、三星、英特尔是全球最强的三家芯片制造公司；咱们大陆最强的中芯国际，暂时只能代工14nm制程芯片；……只有同时具备超强的芯片设计公司和芯片制造公司，才不容易被“卡脖子”！华为、中芯国际，承载着14亿国人的希望！路漫漫其修远兮，华为、中芯国际比较越来越强大！……以上仅为浩子哥个人浅见，欢迎批评指正；喜欢的可以关注浩子哥，谢谢！认同浩子哥看法的，请您点个赞再走，再次感谢！。
芯片nm工艺有什么区别？
一、芯片制造工艺芯片的加工技术从传统的平面晶体管发展到立体晶体管，纳米技术使得芯片中的标准单元更小，增强运算效率、降低耗电量以满足轻薄的移动需求。目前芯片芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、 28nm、22nm、14nm来表示，目前已达到7nm。这两个数字的究竟意义为何，指的又是哪个部位？而在缩小制程后又将来带来什么好处与难题？以下将做简单的说明。
纳米制程是什么，以提7nm为例，其制程是指在芯片中，线宽最小可以做到7nm的尺寸，7nm是什么概念，在数学上，1nm=0.000000001m。用尺量可以得知指甲的厚度约为0.0001m（0.1mm），也就是说试着把一片指甲的侧面切成10万条线，每条线就约等同于1nm，由此可略为想像得到1nm是何等的微小了。
但是，制程并不能无限制的缩小，当我们将标 准单元缩小到20nm左右时，就会遇到量子物理中的问题，让标准单元有漏电的现象，二、为什么要不断缩短尺寸现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到控制电流通断的作用。 而所谓的XXnm其实指的是，CPU芯片上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。
栅长越短，则可以在相同尺则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。缩短晶体管栅极的长度可以使CPU集成更多的晶体管或者有效减少晶体管的面积和功耗，并削减 CPU的硅片成本。三、晶圆加工对于晶圆的加工，全世界能做的厂家以及公司屈指可数，其中为我们很多人所知的莫过于台湾的台积电，作为全球纯晶圆代工行业的领头羊，目前也在不遗余力往3nm制程发展，甚至1nm，但是1nm是否已经是到底物理极限，漏电问题是否能够很好的解决，这很多的考验问题。
电源管理ic芯片中做的比较好的品牌有哪些？
做电源管理芯片的品牌很多电源管理芯片技术已经很成熟了，国外、国内的品牌都以有做，需要根据自己的应用选择合适的方案就可以了。比如锂电池充电管理芯片，有小电流充电的方案也有大电流快充的方案，下面给大家分享几个锂电池充电的芯片。单节锂电池/聚合物锂电池充电-BQ2408这是TI的方案，最大充电电流可以达到750mA，过压输入保护为6.5V，有充电状态指示，比较适用于移动设备的充电，通近Rset可以设置充电电流。
封为VSON10，尺寸只有3x3mm。Rset=Vset x Kset / Iout.Vset=2.5VKset=182当Rset=1.13K时，充电电流为400mA单节锂电池/聚合物锂电池充电-MCP73812这是Microchip的方案，充电电流可以设计在50~500mA，尺寸非常小，封装是SOT23-5，外围元件极少，只需要一个电阻，两个电容就可以了，很适合小型的移动设备充电。
Irog=1000V/Rprog，当Rprog=2K时，充电电流为500mA。双向快充移动电源专用多合一芯片--SW6106SW6106是国产的一款充电管理芯片，支持多种快充协议，很适合用于充电宝上。充电电流可以去到4A，效率有96%，高达18W的输出功率，效率高达95%。支持4.2/4.3/4.35/4.4V 多种电池类型，输出支持PD3.0/PD2.0/QC3.0/QC2.0/FCP/PE2.0/PE1.1/SFCP等多种的快充协议。
苹果的芯片、华为的芯片都是台积电生产的，没有台积电的话还有谁能替代？
华为的高端芯片已经向7纳米靠拢了，如果没有台积电生产放在国内很难生产，国内光刻机最强的属于中芯国际，当年中国半导体之父张汝京带头搞起来的，由于和台积电竞争关系被迫辞职退出了，现在中芯国家能生产的芯片的最高工艺是14纳米还仅仅的批量小产，距离顶尖的芯片制造工艺还是有非常大的差距，好在荷兰的光刻机巨头ASML已经同意卖给国内高端的光刻机，这是对国内这些年来坚持不懈的搞这方面研究的一个回报吧。
现在苹果，华为的高端芯片基本上都交给台积电来生产，台积电在高端芯片领域占据绝对的领先地位，可能很多人觉得台积电就是个芯片加工场而已，还能有多强，台积电的市值和英特尔不相上下，实力非常强劲并且跟全球最大的光刻机厂家ASML关系非常不一般，在顶级的芯片加工上两家企业一起合作开发。目前和台积电接近的企业当属于韩国的三星，但三星距离台积电还是有比较大的差异，三星现在受到日本原材料的制裁，7纳米芯片技术研发计划已经被延迟。
说到国产的芯片加工，能够拿得出手的就是中芯国际了，相比三星差距也非常明显，更不要讲和台积电差距了，芯片加工是一个技术含量非常高，并且需要长时间的积累，不得不提到ASML公司，这家公司虽然属于荷兰但融合了欧美在这块领域的技术和理论高峰，尤其是德国机械制造工艺，说到芯片半导体行业美国绝对是这方面的专家，台积电的创始人张忠谋曾经在德州仪器做过副总裁，中国的半导体之父张汝京也在德州仪器做过，并且在德州仪器里面被称之为建厂狂魔，包括现在的中芯国际也是引进了很多美国的技术才做到今天这个地步的。
任何前言的技术都需要长时间的积累，由于历史原因国内在这方面欠缺非常多，虽然这些年已经追赶了很长时间了，但由于基础太薄弱，现在能生产的芯片仅仅停留在中低端领域，在高端还属于比较空白，相信随着国家的大力支持以及国内不断的积累这一技术在国内早晚有被突破的一天。但从半导体产业基础上看国内差距还是非常大，华为公司只是在芯片设计上有了突破，但在生产以及封测上还要依赖台积电，像三星，英特尔这种类型的公司从芯片的设计到生产工艺制造都是一条龙下来，承认有差距也不是一件丢人的事情，在当前阶段就是先把国外优秀的东西引入到国内进行消化吸收。
