首先，制作芯片的技术要求更高。至于技术，我国已经解决了原子弹制造中最重要的铀提取技术和离心技术，而芯片制造中最重要的技术我国目前还没有解决，那就是在载体上雕刻集成电路。仅仅通过架构来设计一个芯片是不够的。芯片厂商在获得架构授权后，还需要厂商根据自身需求设计芯片，以达到规定的性能指标。
台积电大陆扩产28nm芯片工厂，在美国建3nm芯片工厂，意欲何为？
正常商业行为。首先，28nm芯片在国内已经相当成熟，外资锦上添花扩产自然是资本为己利益优先服务，也算商业正常行为，无需阴谋论般过份解读。其次，台积电这次扩产对于28nm芯片整体供货格局不产生影响，反而可以缓解目前国内缺货现状，对我国国产同级别芯片产业产生的挤压效应有限。比如，公开资料显示，2020年台积电晶圆产能为270万片，占比全球13.1%，扩充每月2万产能，只占0.7%，我国晶圆产能2020全球占比42%，从二者两个角度看，台积电这次扩产影响不大。
第三，我国境内外商投资芯片有很多，比如，联电Tower三星英特尔等等，随便一个产能都与台积电相当，甚至超过台积电，难道我们要阻止他们扩能吗？阻止人家发展吗？至于在我国投资小，在美国投资多，在我国投低端芯片，在美国投高端芯片，这都是很自然的事，在合适的地点，合适的时间做合适的匹配的事，达到资源最优配置，无可厚非。
制造CPU需要哪些技术，中国在其中哪几项落后国外？
来简单聊聊吧！从芯片生产制造层面来说，比较重要的就是代工厂商的生产技术，而在具体生产过程中还需要光刻机这项最核心的技术装备，就这两项来说，我们大陆厂商至少落后510年，如果未来不积极追加投入，不集中资源来推进的话，可能落后时间更长。先说说我国代工厂商的发展情况现阶段国内技术最好的代工厂商是台湾省的台积电，全球第一，其次是大陆地区的中芯国际。
台积电生产工艺全球第一，已经在研发最先进的3nm制程，5nm制程今年将量产。但是由于是台湾地区的厂商，虽然也是中国企业但是我们的控制力较弱，关键时刻不一定能靠得住。中芯这样我们真正能依靠的就只有大陆地区的中芯，但是他目前的技术实力在全球各芯片代工厂中处于底层，现有技术只能实现14nm制程的量产今年产能情况见下图，下一代 N 1 制程能实现类似于7nm低功耗版，这个制程要2021年才能全面量产，而相当于7nm高性能版的N 2制程目前还不确定什么时候能量产。
差距因此，从技术层面来说中芯至少和台积电差了2-3代左右，中芯要赶上就需要持续发力，集中大量资金进行研发。光刻机整体落后但正在赶上中代工厂生产芯片需要的核心设备是光刻机，而我国在这方面的确比较落后，目前量产光刻机为90nm制程上海微电子研发生产。国产光刻机最新消息不过，今年传来好消息，国产28nm节点光刻机可能于今年年末下线下图为最新光刻机的外观专利图，这台机器如果能量产的话，最高能用于7nm制程工艺的生产，这样一来基本上能保证我们现有大部分中高端芯片的生产。
但是，光刻机从研制下线到真正的量产还有一段时间，最快也得要12年，这其中还得解决良率的问题。真正放到代工厂一线使用怕是需要更长久的时间。差距仍旧不小此外，从光刻机的技术角度出发，我们28nm光刻机即便量产，和荷兰ASML光刻机仍旧有很大差距，目前他们量产了7nm EUV光刻机，可用来生产5nm3nm这样选进制程的芯片。
Lscssh技术官员的观点。综合以上内容，可以发现我们在芯片生产的核心技术上是有差距的。幸运的是，在过去的两年里，我们正在迅速赶上。按照现有的技术路线，SMIC的代工技术和自主研发的光刻机可以满足未来几年国内主流市场的需求。经过大约510年的发展，我相信我们可以在这方面逐渐赶上世界领先的技术。感谢您的阅读，给我点赞和鼓励，欢迎关注Lscssh技术官。谢谢你。
