由于数据传输方式不同，CCD和前照式CMOS传感器在效率和应用上有很多差异，包括:1。分辨率差异:前照式CMOS传感器的每个像素都比CCD传感器复杂，像素大小很难达到CCD传感器的水平。因此，当我们将相同尺寸的CCD与前照式CMOS传感器进行比较时，CCD传感器的分辨率通常要优于前照式CMOS传感器。
3D传感器是干什么用的？
首先3D传感器种类繁多，一一介绍太过繁杂。就简单介绍与我们平常息息相关的手机3D传感器。手机的3D传感器是一种对三维空间位置状态起反应的传感器，可以由重力传感、磁力传感及光学传感来实现。其作用有：一：摇一摇功能，这是手机上很常用到的探测功能，可用来了解使用环境附近使用同一功能的人的信息；二：视频通话中，用以探测人脸与屏幕的距离，当脸太靠近屏幕时自动锁屏，以免误触；三：探测手机的空间位置，以便合理地转动屏幕显示，使人看着舒适；四：制造虚拟的力度反应，以便在游戏中产生临场的模拟真实感；五：加上应用软件可以有计步器的功能，自动统计每天步行的步数。
相机的传感器是不是越大成像越清晰？
相机的传感器是不是越大成像越清晰？说到传感器就不得不说传感器的尺寸，而传感器的尺寸指的就是感光器件的面积大小（CCD/CMOS）。感光器件的面积越大，捕捉的光子越多，感光性能越好，信噪比越高。在不谈相机设计和镜头等差异的前提下，假定镜头和光线质量完全相同，拥有更大传感器尺寸的相机成像质量更好，答案是毋容置疑的。
这是由感光元件的设计基础和摄影理论作为依据的。传感器的分类（CMOS/CCD）感光元件在材料上大体上可以分为两类，一类是CCD，而另一类是CMOS。CMOS和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上。
CCD和CMOS感光元件都采用感光二极管作为捕获光线的部件，感光二极管受到光线照射时会输出电流， 电流的强度则和光照的强度成正比。每个CCD或CMOS感光单元就是感光元件上的一个子像素。CCD：英文全称是“Charge-coupled Device”，中文全称“电行耦合元件”，主要是利用P型硅片作衬底，然后用高温氧化的方式覆盖二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上制作金属铝电极，最后在铝上方放置光敏元件。
CCD是由美国贝尔研究室于1969年开发，同年，日本SONY公司开始研究CCD。CCD传感器需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合，整个电路制造工艺复杂，目前只有少数几个厂商DALSA、夏普、SONY、松下、富士、柯达、三洋、飞利浦具备批量生产CCD的能力。
CMOS：英文全称是“Complementary Metal Oxide Semiconductor”，中文全称“互补金属氧化物半导体”，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的，使其在CMOS上共存着带 N（带负电）和 P（带正电） 级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像信息。
CMOS传感器的加工采用半导体厂家生产集成电路的流程，可以将光敏元件、图像信号放大器、信号读取电路、模数/转换器、图像信号处理器及控制器都集成到一块芯片上，只需一个芯片就可以实现很多功能，因此采用CMOS芯片的光电图像转换系统的整体成本很低。CCD和CMOS（前照式）的差异：CCD与前照式CMOS传感器的主要差异是数据传送的方式不同。
↓如下图所示，CCD传感器中每一行中每一个像素的电荷数据都会依次传送到下一个像素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在前照式CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。左图为CCD传感器的结构，右图为前照式CMOS传感器的结构造成这种差异的原因在于：CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真，因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而前照式CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个象素的数据。
由于数据传送方式不同，因此CCD与前照式CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括：1. 分辨率差异：前照式CMOS传感器的每个像素都比CCD传感器复杂，其像素尺寸很难达到CCD传感器的水平，所以当我们比较相同尺寸的CCD与前照式CMOS 传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于前照式CMOS传感器的水平。
