不少人在说DUV光刻机的设备宽容度高。普遍认为中芯国际因此而有望向7nm制程工艺延伸，造出7nm芯片。还有人说中芯国际前段时间讲过“无需EUV设备，亦可向7nm工艺进军”的话。我觉得延伸、进军都是真的，这是由于中芯国际的制程工艺水平真的达到了7nm，跟先前达到的28、14、12、N 1制程工艺一样没有利用EUV光刻机也是真的，只是，其中的12和N 1这 2 个世代工艺的良品率同样也会真的达不到业界量产标准，虽然会造出达到业界标准的12nm和N 1制程工艺芯片，即一定会有一些良品，但整个良品率一定是低于业界量产标准的，除非中芯国际还有与12nm和N 1芯片制程工艺相匹配的DUV光刻机，没听说有啊！对于全面实现12nm、N 1制程工艺来说，14nmDUV光刻机其实是无能为力的，潜力达到部分实现这2个世代工艺之后就到顶了，不再有潜力可挖，而且，部分实现是分别与12、N 1制程工艺共同建立的功劳，比如，与N 1制程工艺一起所立下的功劳无非是“相较于目前的14nm，不仅仅在性能方面提升了20%，同时在功耗方面也直接降低了57%，逻辑面积直接缩小了63%，晶体管密度更是提升了近 1 倍”。
据有人说，梁孟松曾经讲过N 1制程工艺在功率和稳定性上和台积电的 7 nm制程工艺相差无几，只是性能方面的提升不太明显，梁孟松就是在说性能相差还不少，也就是没有达到7nm，所以，后来又研发了并且研发出了7nm这个世代的制程工艺。请问：为什么美国在自己断供中芯国际10nm以下先进工艺设备材料物料的同时又阻止荷兰卖给中芯国际那台7nm极紫外光刻机？就是因为自己如果提供了、荷兰如果卖给了，中芯国际连7nm制程工艺的能力都能全面发挥出来了，更不要说12、N 1制程工艺的能力了，赶上了台积电，就差继续研发5nm以及3nm了。
再问，为什么美国在自己供应与成熟制程工艺相匹配的设备材料物料的同时又不阻止荷兰敞开卖给中芯国际DUV光刻机？无非是想让中芯国际的制程工艺水平停留在中端。美国选择性地供应、不供应，选择性地阻止、不阻止，就是想让中芯国际不能、不再发展12、N 1、7制程工艺，更不能、更不再研发5、3nm制程工艺，就是这个心思！美国当然也知道高端光刻机及其它高端工艺设备，还有高端的材料、物料，对于中芯国际全面实现既有的高端制程工艺能力、研发出更为高端的制程工艺技术，还有迅速达到期望的高端芯片制造整体良品率意味着什么，进而，对美国、对中国的整个半导体产业意味着什么。
中芯国际、台积电和两家芯片代工巨头之间的实力差距到底怎么样？
说实话，中芯国际和台积电很多方面都有差距！这个需要中芯国际加强研发，加快发展，这样中芯国际就有可能逐渐追上台积电。1、从制造工艺技术上来说现在中芯国际制造工艺技术，排在全球大概第四名的位置。前面三家是台积电，三星，英特尔。从这几家公司制造工艺领先程度来看，中芯国际现在14纳米技术已经量产，可能12纳米工艺技术正在导入，这样的工艺技术水平也是能够排在比较先进的水平的。
