台积电的7FFP工艺有约5个EUV掩模，而5FF会有约15个EUV掩模。如果觉得对你有帮助，可以多多点赞哦，也可以随手点个关注哦，谢谢。一直期待着高迁移率通道有一段时间了，它将在pFET的5nm处引入硅锗（SiGe）高迁移率通道（HMC）。另一方面14nm（纳米）和7nm（纳米）的芯片在设计方法和所用的技术上也是有区别的。对芯片设计者来说，14nm和7nm有什么区别？我是电子及工控技术，我来回答这个问题。我是从事电子技术硬件应用的从业者，对于这个问题我来谈谈我的看法。首先从电路硬件设计与应用来说，我们在设...
更新时间：2022-04-20标签： mosfetfinfet工艺技术解析功率功率mosfet应用与解析工艺技术有哪些finfet 全文阅读