功率mosfet应用与解析,工艺技术有哪些 finfet
台积电的7FFP工艺有约5个EUV掩模，而5FF会有约15个EUV掩模。如果觉得对你有帮助，可以多多点赞哦，也可以随手点个关注哦，谢谢。一直期待着高迁移率通道有一段时间了，它将在pFET的5nm处引入硅锗（SiGe）高迁移率通道（HMC）。另一方面14nm（纳米）和7nm（纳米）的芯片在设计方法和所用的技术上也是有区别的。对芯片设计者来说，14nm和7nm有什么区别？我是电子及工控技术，我来回答这个问题。我是从事电子技术硬件应用的从业者，对于这个问题我来谈谈我的看法。首先从电路硬件设计与应用来说，我们在设...
更新时间：2022-04-20标签： mosfetfinfet工艺技术解析功率功率mosfet应用与解析工艺技术有哪些finfet 全文阅读
3nm,台积电仍选FinFET
网传3nm麒麟9010芯片的Mate50要发布了，是真的吗？目前来说3nm的麒麟9010，确实有这款芯片，华为确实在设计，但是无法量产和商用，目的只是为了保证海思技术的延续，等到后面制造问题解决了，可以很快量产。而华为Mate50也可能会有，有消息是华为14nm，3D堆叠的芯片，性能达到了麒麟9000级别，但...
更新时间：2022-04-07标签： 3nm台积FinFET 全文阅读
FinFET,finFET在线翻译
中芯国际计划何时启用14nm FinFET芯片生产线？半导体合约制造商中芯国际（SMIC）本月宣布，其将于今年年底开始基于 14nm FinFET 制造工艺的商业化芯片生产。作为其首条 FinFET 生产线，这是一项吸引了无数人关注的发展。该公司预测，其 14nm 制程节点将出现相当快速的增长，并为其营收...
更新时间：2022-03-22标签： FinFETfinFET在线翻译 全文阅读